海思光電子有限公司武漢銦磷半導體實驗室環(huán)保設施改造項目職業(yè)病危害預評價報告

    武漢興業(yè)安全技術服務有限責任公司2019年1月份業(yè)績公示：海思光電子有限公司武漢銦磷半導體實驗室環(huán)保設施改造項目職業(yè)病危害 預評價報告，海思光電子有限公司武漢銦磷半導體實驗室環(huán)保設施改造項目建設單 位為海思光電子有限公司，項目位于武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新大 道 999 號。擬在現有生產基礎上增加投用新型原材料，以增加新型激 光器和光探測器的產能，多型號合計增加產能 450 萬個；并計劃改造 一套使用物理化學法與膜處理工藝的廢水處理設置，升級現有的廢氣 處理設施，以保證新增產能引入的環(huán)境污染。勞動定員約 300 人，實 行三班工作制，全年工作日為 330 天，每班工作 8 小時。該項目存在的職業(yè)病危害因素主要有：鉛及其無機化合物、鎘及其化合物、砷及其無 機化合物、乙醇胺、四氯乙烯、二甲苯、三氯甲烷、正丁胺、乙腈、 甲醇、氨、氯、鹽酸、二氧化氮、丙酮、異丙醇、氫氧化鈉、過氧化 氫、磷酸、硫酸、砷化氫、磷化氫、乙酸丁酯、銦及其化合物、氧化 鋁粉塵、矽塵、高頻電磁場、紫外輻射、激光輻射、工頻電場、噪聲、 高溫。評價結論：海思光電子有限公司武漢銦磷半導體實驗室環(huán)保設施改造項目建 立了職業(yè)衛(wèi)生管理機構，各項制度基本完善，職業(yè)病防護設施運行正 常，個人使用的防護用品管理較為規(guī)范，輔助衛(wèi)生用室基本完備，其 職業(yè)病控制效果基本達到《中華人民共和國職業(yè)病防治法》及《工業(yè) 企業(yè)設計衛(wèi)生標準》（GBZ1-2010）的要求。

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